宽范围扭转角双层MoS₂

近30°载流子迁移率最优

通过氢驱动动力学调控实现0°至120°扭转角可控，近30°莫尔超晶格减弱层间耦合，提升电荷传输性能。

陈坚 · Yang, Yueting · 张华 · 陈智慧 · 朱剑 · 孙健 · 刘松

ACS Nano 2026

具体参数

扭转角范围

{'zh': '0–120', 'en': '0–120'} °

技术优势

扭转角大范围可调

氢扰动辅助CVD策略可实现0°至120°扭转角的规模化调控，覆盖非公度MoS₂双层结构，远超传统热力学稳定取向。

近30°迁移率最高

近30°扭转角器件呈现准欧姆行为，载流子迁移率优于热力学稳定的0°和60°器件，源于层间耦合减弱、散射降低。

生长可规模化

该CVD策略具有可扩展性，能够概率性调控扭转角，为高质量扭转双层MoS₂的批量制备提供了可靠途径。

应用场景

• 二维材料电子器件：利用扭转角工程调控电子能带结构和输运性质，优化器件性能。
• 莫尔超晶格量子器件：提供可控扭转角的莫尔超晶格平台，用于探索强关联物理和量子现象。
• 原子级薄层晶体管：近30°扭转角可降低层间散射，提升载流子迁移率，改善晶体管性能。
• 范德华异质结器件：作为范德华异质结的组成部分，通过扭转角调控层间耦合，设计新型器件。