Ga2O3深紫外存储光电探测器

纳秒擦写近零暗电流

利用界面电荷库动态调控沟道载流子，将存储特性集成于宽禁带半导体探测器，实现单一器件的光电转换与信息存储双功能。

侯小虎 · 陈力 · 陈晨 · Bai, Shiyu · 刘燕 · Zhixin, Peng · 赵晓龙 · Zhou, Xuanze · 徐光伟 · 高楠 · Long, Shingbing

Advanced Materials 2025

参数信息

响应度

6.7 × 10^7 A W^-1

消光比

10^9

技术优势

单一器件双功能

通过界面电荷库动态调控沟道载流子，在探测器内集成存储功能，实现光电转换与信息存储的统一。

紫外探测最灵敏

响应度达6.7×10^7 A W^-1，暗电流近零，对紫外光的灵敏度为已报道最高。

应用场景

• 深紫外光电探测：近零暗电流和超高响应度提升深紫外弱信号探测极限。
• 光信息存储：器件集成的存储功能可直接记录光信息，无需外接存储器。
• 弱光成像：超高响应度可在弱光条件下增强成像质量。