WSe₂-WS₂横向异质结

原子级清晰界面

通过硒原子原位取代法从单层WSe₂边缘生长出横向WS₂，异质界面陡峭且反应时间、温度可控，为二维半导体能带剪裁提供了原子级精确的合成路径。

Liu, Hang · Zhang, Fen · Zheng, Xiaoming · Zhang, Xiangzhe · Zhang, Baihui · Tian, Zhang · Ao, Zhikang · 张旭阳 · Yang, Xiangdong · 钟绵增 · 李嘉 · Li, Bo · Ma, Huifang · 段曦东 · 何军 · Zhang, Zhengwei

ACS Nano 2024

技术优势

从单层 WSe₂ 出发，通过硫族原子交换路线合成单层 WSe₂-WS₂ 异质结构（界面相对尖锐）

反应由精确的反应时间和温度控制

拉曼、PL、电镜和器件表征证实了横向异质结构及取代过程

提出应变诱导转变的可能机制