抗干扰强
一种基于PCB制造的电场探头，通过屏蔽铜箔与过孔阵列结构抑制干扰耦合，适用于SiC MOSFET的高速开关电压测量。
辛振 · Xinyu, Liu · 李学宝 · Kang, Jianlong
IEEE Sensors Journal 2023
屏蔽铜箔与过孔阵列结构有效抑制干扰信号耦合，提高测量精度。
基于电场耦合原理，探头天然具有高带宽，满足SiC MOSFET高速开关测量需求。
采用PCB制造，可提供更精确的参数设计，保证性能一致性。
通过额外干扰源验证屏蔽结构有效性，并经双脉冲测试证明足以测量SiC MOSFET开关电压。