高耐压氧化镓肖特基二极管

衬底减薄热阻大降

通过衬底减薄与复合终端结构，将器件热阻降至与商用SiC肖特基二极管相当的水平。

冯志红 · Shida, Han · Wang, Yuangang · Guo, Hongyu · Dun, Shaobo · Liu, Hongyu · Han, Tingting · Lv, Yuanjie

IEEE Transactions on Electron Devices 2025

具体参数

衬底减薄

85 μm

封装器件热阻从

6.45 K/W

击穿电压

1200 V

优值

342 MW/cm²

技术优势

2 V偏压下正向电流从6.04 A提升至10.1 A

浪涌电流从20 A提升至29 A