电子迁移率12.6
一种新型高π扩展四氰基取代的苊并二酰亚胺，用作n型有机半导体，单晶电子迁移率高达12.6 cm2 V-1 s-1，超越大多数含酰亚胺单元的OSM。
Wu, Zeng · Liu, Wentao · Yang, Xin · Li, Wenhao · Zhao, Lingli · Chi, Kai · Yan, Yongkun · Zeng, Weixuan · 刘云圻 · 陈华杰 · 赵岩
Angewandte Chemie - International Edition 2023
在构建大π共轭骨架的同时原位生成四个氰基，避免了传统方法中额外的氰基官能化反应。
整个反应在室温下进行，条件温和，有利于放大生产。
单晶OFET电子迁移率高达12.6 cm2 V-1 s-1，属于已报道n型有机半导体中的最高值之一。