低绕组损耗 1200 W/in³
通过缩短次级绕组长度和改善交错,同时优化初级和次级绕组损耗,适合数据中心高效率高功率密度需求。
Wei, Zhou · 杨旭 · Tongrui, Sun · Haohan, Yang · Huang, Xingwei · Hanjie, Qi · Changtao, Chen · Wenjie, Chen · 王康平
IEEE Transactions on Power Electronics 2026
加长并并联同步整流管与输出电容之间的 GND 层,缩短次级绕组长度,部分区域改善绕组交错,使初级和次级绕组损耗都得到优化。
在大电流输出下仍保持低绕组损耗,使 1 kW 功率级实现 1200 W/in³ 的功率密度,为同类 LLC 样机中的最高值。