CMP去除率更高
小晶粒增加晶界密度，加速氧化，从而提升钨的化学机械平坦化去除率。
Haoqi, Liu · Yang, Tao · Yue, Zhang · Lu, Yihong · Jianfeng, Gao · 李峻峰 · 罗军
Materials Science in Semiconductor Processing 2024
ALD钨晶粒小，晶界密度高，氧化剂沿晶界扩散更容易，表面氧化更快，因此CMP去除率更高。
静态腐蚀测试表明，小晶粒钨薄膜的氧化速率更高，进一步由极化曲线和EIS证实。