HfOx/FeOx自整流忆阻器

自整流忆阻开关

用p-n结单向导电性实现高整流比和高阻变比的自整流模拟开关，专为神经形态计算的忆阻器阵列集成设计。

Ran, Haofeng · Ren, Zhijun · Li, Jie · 孙柏 · Tongyu, Wang · Dengshun, Gu · Wang, Wenhua · 胡小方 · Dong, Zhekang · 宋群梁 · 王丽丹 · 段书凯 · 周广东

Advanced Functional Materials 2024

具体参数

计算精度

{'zh': '6', 'en': '6'} bits

技术优势

精度支持多比特运算

计算精度超过6比特，能够表示64个以上的电导状态，适合神经网络的模拟向量-矩阵乘法。

应用场景

• 忆阻器阵列：自整流特性省去选择器，可直接构建高密度交叉阵列。
• 神经形态计算：提供模拟突触可塑性，如PPF和STDP，用于神经形态计算硬件。
• 非易失性存储：高阻变比和耐久性支持可靠的非易失性信息存储。
• 边缘AI硬件：低功耗模拟计算适合边缘设备的AI推理硬件。