MoS₂肖特基光电二极管

零偏压高灵敏探测

Pt/MoS₂肖特基结内建电场实现自驱动宽光谱探测，NH₃等离子体处理进一步提升响应。

Dai, Mengde · Qianqian, Wu · Chenglin, Wang · Xingyu, Liu · 张秀梅 · Cai, Zhengyang · Liangliang, Lin · 顾晓峰 · Ostrikov, Kostya (Ken) · 南海燕 · 肖少庆

Advanced Optical Materials 2023

参数信息

肖特基势垒高度

94.2 meV

技术优势

零偏压即可工作

Pt/MoS2肖特基结的内建电场可有效分离光生载流子，无需外加偏压即可实现光电探测。

性能可进一步提升

通过NH3等离子体掺杂处理可进一步提高器件光电探测性能。

应用场景

• 光电探测：可直接用于自驱动光电探测器，无需外部电源。
• 柔性光电器件：MoS2为二维材料，有望集成到柔性基底上。
• 可穿戴传感：自驱动特性适合用于可穿戴设备中的光电传感器。
• 光学仪器：宽光谱响应可用于光学仪器中的光探测模块。