整流比204.6
碳包覆与氧空位协同增强离子存储，实现高整流比与逻辑运算能力。
Ma, Lingxiao · 马洪运 · Sheng, Hongwei · Yuan, Jiao · 兰伟
ACS Nano 2025
电极整流比I达204.6（1 mV s⁻¹）
器件整流比I达99.1（8 mV s⁻¹）
工作窗口−1.0至1.4 V