低压低能耗高速存储
该异质结构同时解决了相变存储器Set速度慢、Reset能耗高以及多级阻值漂移大的长期难题，在低于2.5 V的低压驱动下即可实现业界领先的存储性能。
Mingjian, Zhong · Zheng, Yonghui · Yongyong, Che · Yuanpei, Gan · Qianqian, Qin · 王鹏 · 丁科元 · 成岩 · 饶峰
Small 2025
Reset能耗约6.40 pJ bit⁻¹，为同类器件中最低，有利于降低高密度存储的功耗。
在更高驱动偏压下可达约0.6 ns的Set速度，支持超高速存储应用。
多级阻值漂移约10⁻⁴–3×10⁻³，是已报道的最小值，有利于多级存储的稳定性。