三维NAND闪存温度补偿算法

低温写入可靠性提升

基于读参考电压校准的编程温度补偿策略，显著降低低温写入数据的平均读重试次数，提升闪存存储可靠性与读性能。

Feng, Hua · 魏德宝 · 王琪 · Yongchao, Wang · 乔立岩 · 霍宗亮

IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 2025

技术优势

读重试次数显著下降

该算法通过校准读参考电压补偿编程温度变化引起的阈值电压偏移，使低温写入数据的平均读重试次数显著降低，从而减少读延迟并提升系统吞吐量。

优化效果优于现有方法

在实测3-D TLC闪存芯片上的评估表明，该算法的优化效果优于现有温度补偿算法，为存储控制器提供更有效的温度鲁棒性方案。

应用场景

• 消费电子存储：提升手机、平板等消费级存储设备在低温环境下的读写可靠性，减少数据错误和卡顿。
• 企业级SSD：保障数据中心和企业级SSD在宽温工况下的稳定运行，降低因温度变化导致的读重试和性能降级。
• 存储控制器：作为温度补偿算法集成进闪存控制器固件，动态调整读参考电压，提升控制器对温度变化的适应性。
• 物联网设备：改善物联网设备在户外或极端温度下的数据存储可靠性，延长设备寿命并减少维护。