钼改性伊克利特陶瓷

近零温漂

通过层状共烧技术调节温度系数，使微波介电性能在宽温下保持稳定。

Zipeng, Huang · Qiao, Jianli · 李玲霞

Journal of Alloys and Compounds 2023

具体参数

相对介电常数

{'zh': '41.52', 'en': '41.52'}

品质因数与频率乘积

{'zh': '50827', 'en': '50827'} GHz

谐振频率温度系数

{'zh': '-2.59', 'en': '-2.59'} ppm/°C

技术优势

温度漂移近消除

TiO2层与层状共烧技术在1150 °C下烧结，将τf调至−2.59 ppm/°C，器件在宽温范围内频率保持稳定。

介电损耗降低

适量Mo4+取代Ti4+促进均匀晶粒生长，减少晶界散射，使Q×f提升至50,827 GHz。

应用场景

• 5G通信器件：低损耗与近零温漂满足5G滤波器、谐振器的频率稳定性需求。
• 微波介质基板：高介电常数有利于基板小型化，适中的Q×f保证信号完整性。
• 频率稳定元件：τf近零使谐振频率在温度变化下保持恒定，适合精密频率器件。