正交相LFO薄膜

低阻尼高剩磁

错切基板诱发四方到正交相变，薄膜阻尼显著降低且微波磁性更优。

Wang, Yan · Shen, Lvkang · Cheng, Shaodong · 刘明

Journal of Applied Physics 2024

技术优势

面外铁磁共振线宽显著低于非错切基板上的四方相LFO薄膜

阻尼更低

面内剩磁比更高