短距离高增益
以Si3N4为芯、Li+掺杂Er/Yb硅酸盐为包层,2 mm内实现高净增益,避免传统离子注入工艺,制造更简便。
Shang, Huabao · Daoyuan, Chen · Zhao, Tong · 杨德仁 · 邱建荣 · 李东升
Laser and Photonics Reviews 2025
2 mm长度即实现9 dB净增益,内部增益系数6.15 dB/mm,显著优于现有硅基掺铒平面波导。
增益带宽覆盖1500–1600 nm的第三通信窗口,可直接用于光通信放大。
制造仅涉及光刻和薄膜沉积,避免了离子注入带来的损伤和复杂性。