掺铌二硫化钼晶体管

p型高开关比

一种p型掺铌二硫化钼场效应晶体管，开关比高且亚阈值摆幅低，适用于互补场效应管和光电储备池计算。

Chen, Yitong · 王睿 · Li, Dingwei · Tang, Yingjie · Ren, Huihui · 王焱 · Liu, Guolei · Li, Fanfan · Wang, Hong · 朱博文

Small 2025

参数信息

开关比

>10⁶

亚阈值摆幅

234 mV dec⁻¹

开态电流

12 µA µm⁻¹

模式识别准确率

88 %

八方向运动识别率

100 %

技术优势

高开关比

开关比超过 10⁶，可有效抑制漏电流，提升器件在互补逻辑电路中的性能。

低亚阈值摆幅

亚阈值摆幅低至 234 mV dec⁻¹，可实现更陡峭的开关特性，适应低功耗应用。

光调控突触

Nb 空位缺陷态使器件在光下表现出可调的电导增强和抑制，可直接用作储备池计算单元。

应用场景

• 互补场效应晶体管：提供 p 型 MoS₂ 器件，与 n 型器件配对构建互补逻辑电路。
• 神经形态计算：利用光调控突触特性，作为储备池计算单元执行模式识别。
• 光电计算：光电混合信号处理，用于运动识别等时序信息感知。