重复ESD下退化更小
引入P-top层结构，显著抑制重复ESD应力下的电流密度退化，提升器件可靠性。
Lu, Li · Zhihan, Zhu · Yixin, Dai · Liu, Siyang · Sun, Weifeng · Zhang, Long · Lin, Feng · Jinyu, Xiao · Jun, Sun
IEEE Transactions on Electron Devices 2023
P-top层与P-body共用同一光罩，制造流程不增加额外步骤。