吡啶基异构体自组装单层

泄漏电流降两个数量级

通过N原子位置微调分子-电极耦合,将分子结从电阻转变为整流比过200的二极管。

Peng, Wuxian · Ningyue, Chen · Wang, Caiyun · 谢瑜 · Li, Shuwei · 张亮 · 李圆

Angewandte Chemie - International Edition 2023

参数信息

整流比
>200
泄漏电流变化
~2 orders of magnitude
分子-电极耦合调控倍数
~10 times

技术优势

泄漏电流降两个数量级

N原子位置变化使Γ调谐近10倍,直接导致泄漏电流约两个数量级的改变,分子结从电阻变为二极管。

整流比超过200

整流比 r+ = |J(+1.5 V)/J(-1.5 V)| 超过200,使分子结成为高性能分子二极管。

N原子位置可调控

只需改变异构体中N原子的位置,无需改变分子骨架,即可化学工程化调节电阻和整流特性。

应用场景