锆掺杂钨青铜电介质陶瓷

储能效率逾91%

通过晶界氧化锆增强绝缘，实现极化与击穿场强同步提升，突破弛豫铁电体储能密度瓶颈。

Yang, Bian · Gao, Yangfei · Jingran, Li · Jiaxin, Wei · Zhu, Xiaopei · Qiao, Wenjing · Jieli, Lyu · Jiawen, Guo · Hu, Yanhua · 孙少东 · 张国君 · 娄晓杰

Composites Part B: Engineering 2024

具体参数

可回收储能密度

{'zh': '2.67', 'en': '2.67'} J/cm3

储能效率

{'zh': '91.21', 'en': '91.21'} %

技术优势

击穿场强同步提升

Zr掺杂在晶界生成ZrO2，显著提高电绝缘特性，克服了极化与击穿场强的负相关，实现二者同步增强。

储能效率91.21%

优化的SBN-Gd-Zr0.2样品具有高击穿场强和饱和极化，实现2.67 J/cm³的可回收储能密度和91.21%的高效率。

宽频宽温适用

SBN-Gd-Zr0.2在不同频率和温度范围表现出稳定的储能特性，适用于脉冲功率器件等实际应用。

应用场景

• 脉冲功率器件：高储能密度和小型化，适合脉冲电源的能量存储。
• 储能电容器：高效率和高储能密度，可用于制作高性能陶瓷电容器。
• 高功率电子：优异的频率稳定性，适用于高功率电子设备中的储能元件。