AlGaN点缺陷

系统解析Al0.5Ga0.5N中Mg掺杂相关点缺陷的形成能、热力学跃迁和电子态，揭示p型条件下的施主补偿中心与有害能级来源。

Zhang, Libin · Ji, Xia · Yihong, Ye · Zhou, Jiacheng · Gao, Piao · Zhiyin, Gan · 曹龙超 · Li, Xiang

Computational Materials Science 2025

参数信息

MgGa-ON Al Ga
5 N

技术优势

精准识别p型补偿中心

计算揭示MgN、ON、MgGa-ON、Hi和VN-Hi在p型条件下呈现施主特性，这些缺陷会补偿受主，从而回答为什么Mg掺杂AlGaN的p型电导难以提高。

锁定最稳定缺陷构型

结合能分析表明MgGa-ON在所有考虑的杂质点缺陷中最稳定，因此是理解Mg掺杂效率的关键结构。

溯源禁带内陷阱能级

发现MgN、VAl-ON、VGa-ON、Hi和VN-Hi可能在禁带中引入能级和有害陷阱，这些缺陷态会通过非辐射复合降低器件效率。

应用场景