rGO修饰球形PbO2电极

高氧过电位 近全转化

以还原TiO2纳米管阵列为中间层,结合球形结构和rGO修饰,强化羟基自由基生成并降低电荷转移阻力,高效氧化As(III)。

倪月 · Yashi, Liu · Qipan, Liu · Lin, Gan · 毕文龙 · Li, Xuwei · 刘奋武 · 孙则朋

Separation and Purification Technology 2025

参数信息

电化学活性面积
9.750 C/cm²
氧过电位
2.19 V
羟基自由基生成能力
38.06 mM/(min·m²)
电荷转移电阻
2.69 Ω
循环后氧化率
93 %

技术优势

氧过电位高

2.19 V 的氧过电位抑制析氧副反应,使电流更多用于 As(III) 氧化,提高电流效率。

电荷转移快

电荷转移电阻仅 2.69 Ω,电极界面电子传输迅速,降低能耗。

循环稳定性好

六次循环后氧化率仍超 93%,rGO 的引入增强了电极的耐用性。

抗干扰能力强

对共存离子有强抗干扰能力,实际水体中不受常见离子影响。

应用场景