氧化镓晶片抛光装置

粗抛效率28.67 nm/min

集成光电化学多能场实现氧化镓晶片全局平坦化，精抛表面粗糙度达0.175 nm。

王明军 · Liangwei, Li · 刘世杰 · Yifan, Huang · Pengbo, Li · Junda, Li · Fulin, Wu · 徐学科 · Ketao, Yan

ECS Journal of Solid State Science and Technology 2025

参数信息

材料去除率

28.67 nm min⁻¹

表面粗糙度

0.175 nm

技术优势

解决解理损伤

通过光电化学氧化反应在晶片表面生成易去除的氧化层，避免机械力直接作用于脆性晶格，从而抑制解理。

提升加工效率

粗抛阶段材料去除效率达28.67 nm/min，显著高于传统纯机械抛光。

获得超光滑表面

精抛后表面粗糙度仅0.175 nm，满足超精密加工需求。

应用场景

• 氧化镓晶片加工：替代传统机械抛光，避免解理损伤并提高效率。
• 第四代半导体衬底：为第四代半导体衬底提供高质量表面，推动器件应用。
• 超精密抛光：实现亚纳米级粗糙度，满足超精密加工需求。