无切口损耗切片
通过超快激光在SiC晶片内部写入改性层，仅当改性层形成单裂纹形态时可成功剥离，为无切口损耗晶片切片提供关键判据。
Zhang, Yuliang · 谢小柱 · Yaoan, Huang · Hu, Wei · 龙江游
Ceramics International 2023
激光切片技术避免线锯切割带来的材料损失，实现SiC晶片的无切口损耗切片。
仅含单裂纹层的样品成功剥离，证明裂纹形态对剥离具有本质影响。
增加脉冲宽度有利于内部改性结构形成，为参数优化提供方向。