单斜相Yb₂Si₂O₇陶瓷

GHz/THz双频低介电

一种可同时覆盖GHz和THz频段的低介电常数电介质陶瓷，其介电响应主要由Si–O键和Yb–O键分别调控。

Li, Yingxiang · Zegui, Hou · Fang Z. · Wang, Fei · Deyin, Liang · Zitao, Shi · Wei, Liu · Chuansheng, He · Tang, Bing

Journal of Advanced Ceramics 2025

参数信息

介电常数

7.57

品质因数×频率

78645 GHz

谐振频率温度系数

-13.5 ppm/°C

太赫兹介电常数

8.13

太赫兹Q×f

112758 GHz

技术优势

双频段低介电常数

在GHz频段εᵣ=7.57，THz频段εᵣ=8.13，均满足低介电常数要求。

THz波段高Q值

在THz波段，Q×f高达112,758 GHz，远高于GHz波段的78,645 GHz，表明其在更高频率下损耗极低。

键合特性独立调控

Si–O键主要影响Q×f和τf，Yb–O键主要影响εᵣ，可通过组成设计定向优化介电性能。

应用场景

• 毫米波天线：低介电常数与低损耗可提高天线辐射效率，减小信号延迟。
• THz通信：在太赫兹波段仍保持低介电常数和高Q×f，适合高速无线通信。
• 高频陶瓷基板：低εᵣ与优异的介电性能使其成为高频电路基板的理想选择。
• 5G/6G电路：满足5G/6G对低介电、低损耗陶瓷基板的紧迫需求。