多晶硅填充3D沟槽电极探测器

电场更均匀

采用双面蚀刻与双面填充工艺，有效扩大灵敏体积并改善电场均匀性。

李正 · 赵军 · Li, Xinqing · Liu, Manwen · 王美山

Micromachines 2025

参数信息

全耗尽电压

1.4 V

饱和漏电流

4.8×10-10 A

几何电容

99 fF

单元尺寸

120 µm × 120 µm × 340 µm

技术优势

电场更均匀

采用双面蚀刻技术和双面填充技术制造，避免了传统结构中电场分布不均、电势不对称和死区等问题。

灵敏体积更大

双面工艺避免了死区，使探测器有效灵敏体积增加。

应用场景

• 辐射探测器：高均匀电场和低漏电流提升探测精度和信噪比。
• 核辐射监测：低工作电压和低漏电流适合长期在线监测。
• 粒子物理实验：全耗尽电压低，可在低偏压下实现快速响应。
• 硅探测器：可采用标准硅工艺批量制造，成本可控。