铌酸锂焦平面阵列

纳秒级超快指向

利用薄膜铌酸锂的电光效应,将光束指向速度与能耗同时推向传统焦平面阵列难以企及的量级。

Liu, Jinze · Wang, Binbin · Yan, Gong · Jianguo, Wang · 黎永前 · 甘雪涛 · 乔大勇

ACS Photonics 2025

参数信息

响应速度
25.9 ns
功耗
35.8 nJ/π
视场
1.48 °
光束发散角
0.036 °
背景抑制比
20 dB

技术优势

同时快且省电

响应速度从传统的毫秒级跃升到25.9纳秒,单次相位调制功耗仅35.8 nJ/π,量级上的双重提升使大规模阵列成为可能。

集成度高

所有相移器集成在同一块薄膜铌酸锂芯片上,避免了分立移相器的拼接难题和相位漂移。

连续扫描无盲区

演示了在一个方向上消除盲区的连续光束扫描,避免了传统焦平面阵列因像素离散导致的指向跳变。

应用场景