氧空位Fe₂O₃纳米针

比电容 566.8 F/g

无需对MWCNTs进行预功能化处理，直接在碳管表面生长氧空位富集的Fe₂O₃纳米针，构筑多级核壳结构，赋予电极高比电容与优异倍率性能。

Yan-Cun, Dong · Chen, Songyang · Shi-Yan, Cao · Yi-Jing, He · Sun, Zhijia · 曹小漫 · 张庆国 · Liu, Daliang · Ge, Hao · Wu, Qiong

Journal of Energy Storage 2025

具体参数

比电容

566.8 F g⁻¹

技术优势

无需MWCNTs预功能化

溶剂热法+温和煅烧合成