GaN电平转换器

高速抗噪声

无需复杂信号处理电路，同时实现小响应时间与高dV/dt噪声抗扰度，适用于200V单片GaN功率IC。

Yifei, Zheng · Qing, Yuan · Deyuan, Song · Yutao, Ying · Zhu, Jing · Sun, Weifeng · Zhang, Long · Li, Sheng · Wang, Denggui · 周建军 · Zhang, Sen · He, Nailong

2023

参数信息

制造工艺

1 μm

工作电压

200 V

技术优势

响应快

无需复杂信号处理电路即可实现小响应时间，从而最小化延迟和导通损耗。

耐噪声

具备高dV/dt噪声抗扰度，无需额外噪声抑制电路即可可靠工作。

工艺成熟

采用1μm GaN-on-Silicon工艺制造，易于与现有GaN功率IC集成。

应用场景

• GaN功率集成电路：集成到GaN功率IC中进行高压信号转换，无需额外噪声抑制电路。
• 高压电平转换：用于高压电平转换，实现小响应时间并降低延迟。
• 功率转换器：在功率转换器中提供高速电平转换，提升效率。
• 电机驱动：用于电机驱动中的高压信号控制，增强噪声抗扰度。