厚度可调AgOx/SnSe2忆阻器

同一器件数字/模拟切换

通过调节AgOx层厚度,在同一器件中实现数字开关与模拟突触行为的转换,为多功能存储与神经形态计算提供单一硬件平台。

Zhou, Tao · 王小宇 · Huang, Min · 陈文洁 · 霍能杰

Small 2026

参数信息

亚阈值摆幅
10 mV dec-1
保持时间
5000 s

技术优势

一个器件顶两个用

通过调节 AgOx 层厚度(75 nm 与 35 nm),同一器件既能作为数字开关,又能模拟生物突触行为,无需更换材料或重新设计结构。

亚阈值摆幅极低

亚阈值摆幅低于 10 mV dec⁻¹,意味着器件从关态到开态的转变非常陡峭,有利于低功耗操作。

能识别心电信号

在模拟突触模式下(35 nm AgOx),该器件可用于突触权重调制和信号识别,如心电图(ECG)信号,展示了在生理信号处理中的应用潜力。

应用场景