兼做数字存储与人工突触
该忆阻器通过调控活性层中的离子种类，既可实现高耐久的数字型非易失存储，也可实现免电铸的模拟型易失突触行为。
Hu, Hongrong · Scholz, Alexander Wigbert K. · Doelle, Christian · Zintler, Alexander · Quintillá, Aina · Yan, Liu · Tang, Yushu · Breitung, Ben · Cadilha Marques, Gabriel · Eggeler, Yolita M. · Aghassi-Hagmann, Jasmin
Advanced Functional Materials 2023
数字型忆阻器耐久性超过12 672次开关循环
数字型忆阻器在低工作电压下具有高均匀性
突触增强时间10 s
突触强化时间35 s