Cs2AgBiBr6光学突触晶体管

光写电压擦除

基于Cs2AgBiBr6/InOx双层结构的无铅钙钛矿人工光学突触，兼具光写入与电压擦除特性，可直接用于神经形态视觉计算。

Liu, Z. J. · Fang, Yuxiao · Zhaohui, Cai · Yijun, Liu · Ziling, Dong · Renming, Zheng · Shen, Zongjie · Rui, Wu · Wenjing, Qu · Jufei, Fu · 汝长海 · Ye, Wu · Jiangmin, Gu · Liu, Yina · Liu, Qing · 赵春 · 文震

Nano Energy 2024

参数信息

最大工作波长

520 nm

识别准确率损失

1 %

IPIPS

0.637

SSIM

0.715

技术优势

无铅无毒

采用Cs2AgBiBr6双钙钛矿，避免铅毒性，适合生物兼容应用。

光擦写一体

光脉冲写入信息，电压脉冲擦除，集成传感与存储功能。

抗噪能力强

在有噪声的图像识别中准确率损失小于1%，接近人眼水平。

图像生成质量高

在CycleGAN中生成的图像SSIM达0.715，接近真实图像。

应用场景

• 神经形态视觉传感器：直接感知光信号并处理，无需模数转换。
• 存算一体芯片：在同一器件内完成传感与存储，降低数据搬运能耗。
• 人工智能视觉系统：提供抗噪的图像识别和生成能力。
• 光电器件：基于无铅钙钛矿的双层光电器件，具有突触可塑性。