VS₂单层

室温铁磁、近全自旋极化

通过适量空穴掺杂,该单层可实现易磁化轴翻转并保持近100%自旋极化,其居里温度可提升至室温以上,为自旋电子器件提供关键二维铁磁平台。

陈向荣 · 胡翠 · Geng, Hua Y.

Physical Chemistry Chemical Physics 2023

技术优势

近100%自旋极化(适量空穴掺杂下)

居里温度可高于室温(适当空穴浓度与磁场下)

分子动力学与声子谱证明其动力学和热力学稳定