反馈增强ESD钳位电路

面积省近半

用寄生结电容替代MOSFET电容并经反馈延长开启时间，在实现等效防护等级的同时减小面积并提升抗误触发能力。

杨兆年 · Liyao, Wei · Gaoxiang, Kai · Shi, Pu · Biyun, Wang · 刘晶 · 杨媛 · Ningmei, Yu

IEEE Transactions on Electron Devices 2024

参数信息

TLP失效电流

9.5 A

技术优势

面积省

用寄生n阱/p衬底结电容替代传统MOSFET电容，省去大块电容面积。

抗误触发

反馈机制设计增强了误触发免疫能力，支持更快的上电。

长脉冲更稳

反馈延长开启时间，增强了长脉冲事件下的鲁棒性。

应用场景

• 芯片ESD防护：直接替代传统RC钳位，面积更小且防护级别相同。
• 功率集成电路：面积更小，适合功率芯片的版图密度要求。
• I/O接口防护：抗误触发更强，避免上电时误开启。