缺陷单层WS₂

倍增阈值降至1.6Eg

通过二硫空位缺陷工程在单层WS₂中引入强电声耦合，首次将载流子倍增阈值从传统的高于2倍带隙降低至1.6倍带隙，为利用亚2倍带隙高能光子提供新途径。

Li, Jixiu · Zhang, Yutong · Sun, Jian · 李远征 · Chuxin, Yan · 辛巍 · Fu, Jianhui · 刘为振 · Zhao, Xingang · 徐海阳 · 刘益春 · 刘新风

ACS Nano 2025

具体参数

载流子倍增阈值

{'zh': '1.6', 'en': ''} Eg

技术优势

利用高对称二硫空位实现强电声耦合