硼硅共掺杂金刚石薄膜

欧姆接触电阻0.46 Ω·mm

通过氢化硼硅共掺杂，在金刚石表面同时实现高电导率与低欧姆接触电阻，为金刚石场效应晶体管提供一种简便可行的接触优化方案。

张金风 · He, Qi · 任泽阳 · Yu, Xinxin · 苏凯 · Yijiang, Li · Qihui, Xu · Zhang, Jincheng · Yue, Hao

IEEE Electron Device Letters 2023

参数信息

方块电阻

2724 Ω/sq

空穴迁移率

68.9 cm²/Vs

应用场景

• 金刚石功率器件：提供低接触电阻的共掺杂金刚石，可直接用作功率器件的导电层或接触层。
• 高频电子器件：高电导率与低接触电阻可降低寄生阻抗，适用于高频器件中的电极和互连。
• 耐高压芯片：金刚石耐高压且本工作降低了接触电阻，可用于高压芯片的接触结构。