应变调控反铁磁BiFeO₃薄膜

反铁磁耦合增强

该BiFeO₃薄膜的反铁磁耦合被显著增强，涅尔温度从428 K提升至646 K，二次谐波信号增强一个数量级，体现出应变对反铁磁序的有效调控，为反铁磁体在自旋电子器件中的应用提供了新材料。

Xu, Shuai · 马成 · 金奎娟 · 张庆华 · Huang, Sisi · Wang, Yiru · He, Xu · Wang, Jiesu · Xie, Donggang · Zhang, Qiulin · 郭尔佳 · 葛琛 · 王灿 · 许秀来 · 谷林 · 贺蒙 · 杨国桢

Light: Science and Applications 2025

具体参数

应变调控范围从

{'zh': '-2.4', 'en': ''} %

键角接

{'zh': '180', 'en': ''} °

技术优势

涅尔温度从428 K提升至646 K

G型反铁磁序贡献的SHG强度提升一个数量级