厚度比例受控HZH超晶格栅介质

450°C不退降

通过调控超晶格厚度比例抑制锆掺杂铪的四方相变，将栅介质的热稳定性提升至450°C以上的后道工艺窗口。

Kun, Zhong · 张凡 · Zhang, Zhaohao · 张青竹 · Hou, Zhaozhao · Chunsong, Zhao · 韩根全 · 许高博 · 李峻峰 · Liu, Yan · Xu, Jeffrey · 殷华湘

IEEE Electron Device Letters 2024

参数信息

驱动电流提升

55 %

亚阈值摆幅降低

2.9 %

应用场景

• 高k金属栅：替代传统氧化铪，缩小等效氧化层厚度并维持热稳定性。
• FinFET：作为FinFET的栅介质，提升驱动电流并降低功耗。
• 先进逻辑工艺：满足先进节点对栅介质热稳定性和尺寸微缩的双重要求。
• 后道工艺：耐受后道工艺的高温退火，避免器件性能退化。