激光写入自旋缺陷

聚合物上直接写入

不依赖晶体生长,用激光在普通聚合物表面原位生成碳化硅自旋缺陷,适用于传感与防伪。

覃栎 · 郭浩 · Li, Xin · 温焕飞 · Li, Zhonghao · Ma, Zongmin Ming · 田禾 · 唐军 · 刘军

Science Advances 2025

参数信息

ODMR对比度
0.15 %

技术优势

无需晶体衬底

通过在聚合物上局部形成碳化硅相,直接产生自旋缺陷,避免了对特定晶体结构的依赖。

加工损伤极小

激光直写只对局部进行改性,并形成稳定的共价键,因此可在已成型器件上进行加工而不破坏其功能。

应用场景