ALD-ZnO薄膜晶体管

迁移率85 cm²/V·s

一种由原子层沉积技术制备的氧化锌薄膜晶体管，具有创纪录的场效应迁移率，可在铜互连热预算以下的低温工艺中集成到CMOS后端，用于单片三维集成。

王文辉 · Li, Ke · Lan, Jun · Shen, Mei · 王中锐 · Feng, Xuewei · 于洪宇 · Chen, Kai · Li, Jiamin · Zhou, Feichi · 林龙扬 · 李毅达

Nature Communications 2023

具体参数

mobility intrinsic mobility

{'zh': '', 'en': '140'} cm²/V·s

集成于

{'zh': '1', 'en': '1'} kbit

级环形振荡器工作频率

{'zh': '10', 'en': ''} MHz