单片GaN温度传感器

耐250°C宽压输出

基于氮化镓MIS-HEMT的双管结构，通过调整栅极尺寸比可切换PTAT/CTAT输出，适用于高功率密度全GaN智能功率系统中的片上温度监测与过温保护。

Ang, Li · Li, Fan · Kaiwen, Chen · Zhu, Yuhao · Wang, Weisheng · Mitrović, Ivona Z. · 文辉清 · Liu, Wen

IEEE Transactions on Power Electronics 2023

参数信息

灵敏度

15.86 mV/°C

灵敏度

-10.53 mV/°C

过温保护响应时间

381 ns

技术优势

输出极性可切换

通过调整栅极尺寸比，同一结构可实现PTAT或CTAT输出，无需改变电路拓扑。

应用场景

• 功率集成电路：为GaN功率芯片集成片上温度监测，避免外部分立传感器。
• 高温电子器件：在250°C下仍能精确测温，适用于高温环境监测。
• 电源管理模块：提供过温保护功能，防止功率模块热失控。