双跑道磁控溅射阴极

靶面磁场均匀覆盖

采用双跑道磁路结构，在靶面11.7 mm间距下将水平磁场径向分布不均匀性减半，并扩大有效刻蚀区域。

Wu, Yongshuan · Kefan, Liu · Pengcheng, She · 李军辉

Microelectronic Engineering 2025

参数信息

气体分布不均匀系数降低率

63.4 %

靶面水平磁场分量峰值

0.24 T

水平磁场周向分量降低率

50 %

技术优势

气体分布更均匀

增大进气口直径可显著降低气流不均匀性，使反应室内气体分布更一致。

靶面磁场覆盖扩大

在优化的靶面间距下，水平磁场分量峰值达到0.24 T，且覆盖更大区域，有利于均匀刻蚀。

磁场周向波动减半

双跑道结构将水平磁场的周向分量降低了一半以上，减少刻蚀的不对称性。

应用场景

• 半导体薄膜沉积：提升薄膜厚度均匀性，满足先进制程对成膜一致性的严苛要求。
• PVD工艺优化：通过流场与磁场协同设计，减少工艺调试中的不均匀性变量。
• 磁控溅射设备：优化阴极磁路结构，提高靶材利用率并延长靶材寿命。