GaN单片集成降压转换器

35 V-5 V单片转换

将预驱动模块与功率器件单片集成在AlGaN/GaN外延片上,实现小型化DC-DC功率转换。

Zhu, Yuhao · Haodong, Su · Li, Fan · Ang, Li · Xiaohaoyang, Lei · Cui, Miao · Lai, Wencheng · 文辉清 · Liu, Wen

Semiconductor Science and Technology 2023

参数信息

输入电压
35 V
输出电压
5 V
预驱动输出电压
10 V
集成芯片尺寸
1

技术优势

驱动电压足

预驱动模块能输出10 V驱动电压,可充分开启GaN功率管。

漏电被抑制

采用绝缘栅介质层,抑制栅漏电并提高栅压耐受能力。

芯片更紧凑

预驱动与功率器件单片集成,可减小DC-DC应用中的系统面积。

应用场景