HfO₂高k介质光电晶体管

无栅宽带高探测

用高k HfO₂层实现电偶极子门控，无须外部栅压即可驱动石墨烯-硅电荷耦合，让CCD器件摆脱栅极端子约束。

Imran, Ali · Zhu, Qinghai · Sulaman, Muhammad · Bukhtiar, Arfan · Xu M.

Advanced Optical Materials 2023

具体参数

无栅偏压下比探测率

6.20×10¹³ cmHz

Broadband spectral response

1342 nm

技术优势

800nm波长、无栅偏压下响应度3.7×10³ A W⁻¹

800nm波长、无栅偏压下外量子效率0.72×10⁴