GaN-on-Si 太赫兹调制器

多模式可切换

一种基于 2DEG 与超表面混合设计的 GaN-on-Si 调制器,能在低温和室温下分别提供等离子体谐振开关与宽带透射控制,实现两种运行状态和四种模式的主动太赫兹波调控。

Chen, Shanri · Duan, Siyu · Yongtu, Zou · 周绍林 · 吴敬波 · 金飚兵 · 朱浩慎 · Wenquan, Che · Quan, Xue

Advanced Optical Materials 2024

参数信息

低温条件下表现出显著
2 D

技术优势

带宽突破

在室温下呈现非谐振宽带频谱,摆脱了谐振型调制器固有的窄带限制。

模式多样

同一器件可根据温度和偏压切换栅控、非栅控、线性、耗尽四种模式,适配不同应用场景。

工艺兼容

采用 GaN-on-Si 平台,与标准半导体工艺兼容,便于集成到现有系统中。

应用场景