复合磨粒碳化硅抛光

晶圆减薄零裂纹

金刚石与CeO₂磨粒协同，在SiC晶圆背面减薄中实现原子级光滑表面且无亚表面裂纹。

Luo, Qiufa · Gu, Li · Jieming, Chen · 陆静 · 柯聪明 · 胡光球 · Jianhui, Zhu · 黄辉

Wear 2026

具体参数

键原子百分比提高

{'zh': '47.2', 'en': ''} %

技术优势

在1000 rpm转速和0.3 mm/min进给速度下，获得粗糙度0.76 nm的光滑SiC表面

亚表面未检测到裂纹