原位掺氢非晶Ga₂O₃薄膜

光暗电流比达2.65×10⁷

通过原位掺氢钝化氧空位缺陷，在保持高光电流的同时将暗电流抑制至极低，显著提升紫外探测的弱信号检测能力。

Sui, Yanxin · 梁会力 · 霍文星 · Zhan, Xiaozhi · 朱涛 · Mei, Zengxia Xiai

Materials Futures 2024

具体参数

偏压

{'zh': '5', 'en': ''} V

可探测低于

{'zh': '10', 'en': ''} nW cm⁻²

技术优势

光电流高达1.37×10⁻³ A

光暗电流比2.65×10⁷

弯曲和疲劳测试中性能无明显退化