抗光刻偏差的电阻式随机存取存储器

降低电性变异至10%

通过布局尺寸优化与光学邻近校正技术，可将阵列内器件间的电性变异控制在10%以内，为高密度RRAM集成提供设计准则。

Yuhang, Zhang · 贺光辉 · Feng, Zhang · 李永福 · 王国兴

Journal of Semiconductors 2024

参数信息

读电阻对阵列位置的敏感性

30 %

SET/RESET电压对阵列位置的敏感性

10 %

优化后的电性变异

10 %

读电阻降低倍数

4 ×

技术优势

变异可降至10%以下

通过增加RRAM器件长度并应用光学邻近校正技术，可有效降低器件间电性差异，满足高密度阵列一致性要求。

定位变异来源

通过光学物理验证方法，将RRAM器件按位置和光刻环境分为三类，揭示了读电阻对阵列位置更敏感（约30%），为版图优化提供依据。

提供设计准则

给出最小化光刻变异的设计指南，权衡变异与功耗、面积，为高密度RRAM集成提供参考。

应用场景

• 高密度RRAM阵列：为高密度存储阵列提供抑制光刻变异的版图优化方案，提升良率与一致性。
• 光学邻近校正：利用OPC技术修正光刻图形偏差，有效降低RRAM器件电性变异。
• 纳米制造工艺：指导纳米制造中版图参数设计，最小化光刻过程引入的器件差异。