MoS₂横向忆阻器

通道越短越易开

这种忆阻器把二硫化钼单层夹在纳米金电极间,通道从61纳米缩到24纳米时,开启电压和所需脉冲数大幅下降,尤其适合高密度集成的神经形态硬件。

Danyun, Wang · Daquan, Yu · Chen, Hongyu · Caiyuan, Zhao · 陈辛夷 · Lu, Miao

Journal of Alloys and Compounds 2025

具体参数

电压从
4.82 V
电压从
3.15 V
通道长度
约61 nm
通道长度
约48 nm