拓扑绝缘体Bi₂Te₃纳米片

打破介电常数-损耗制约

通过镁掺杂调控表面和体载流子，在低频微波吸收中同时实现超高介电常数和低损耗。

Qiangqiang, Chen · Qiji, Ma · 胡自玉 · 张均营 · 林承友 · Jin, Ge · Bi, Song · 侯志灵

Advanced Functional Materials 2025

具体参数

相对介电常数

{'zh': '100', 'en': '100'}

损耗角正切

{'zh': '0.4', 'en': '0.4'}

电厚度

{'zh': '0.029', 'en': '0.029'}

技术优势

介电常数提升一个数量级

Mg²⁺掺杂系统调控表面态和体态的载流子类型与浓度，使2 GHz下相对介电常数高达100，远超传统材料。

低损耗不被牺牲

在获得超高介电常数的同时，损耗角正切保持在0.4以下，打破了传统吸波材料中介电常数与损耗之间的固有制约。

最薄的S波段吸波体

通过载流子工程实现极低的电厚度d/λ=0.029，在2.6 GHz即可达到99%吸收，是已报道天然材料中最薄的。

应用场景

• 低频微波吸收：实现S波段99%吸收，电厚度仅0.029，替代厚重吸波材料。
• 电磁波屏蔽：超高介电常数提升屏蔽效能，薄层即可高效屏蔽低频电磁波。
• 电磁隐身涂层：极薄涂层即可实现低频隐身，突破传统材料厚度限制。